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NRVBM130LT1G

NRVBM130LT1G

僅供參考

型號 NRVBM130LT1G
PNEDA編號 NRVBM130LT1G
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 1A POWERMITE
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 50,064
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NRVBM130LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NRVBM130LT1G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
NRVBM130LT1G, NRVBM130LT1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 174.9 KB)
PDFNRVBM130LT3G數據表 封面
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NRVBM130LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果520mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 10V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-216AA
供應商設備包裝Powermite
工作溫度-結點-55°C ~ 125°C

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80V

電流-平均整流(Io)

125mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

9ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 80V

電容@ Vr,F

9pF @ 0.5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

0402/SOD-923F

工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

25A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 25A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 800V

電容@ Vr,F

300pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1500V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.75V @ 6A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1µs

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 150V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

120V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

930mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 120V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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