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NSBA114YDP6T5G

NSBA114YDP6T5G

僅供參考

型號 NSBA114YDP6T5G
PNEDA編號 NSBA114YDP6T5G
描述 TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,240
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 26 - 五月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSBA114YDP6T5G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSBA114YDP6T5G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
NSBA114YDP6T5G, NSBA114YDP6T5G數據表 (總頁數: 8, 大小: 124.76 KB)
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NSBA114YDP6T5G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大408mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-963
供應商設備包裝SOT-963

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

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安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

80MHz

功率-最大

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

140MHz

功率-最大

250mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電阻-基本(R1)

-

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

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2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

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