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NSBA114YDXV6T1

NSBA114YDXV6T1

僅供參考

型號 NSBA114YDXV6T1
PNEDA編號 NSBA114YDXV6T1
描述 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,488
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 25 - 六月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSBA114YDXV6T1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSBA114YDXV6T1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
NSBA114YDXV6T1, NSBA114YDXV6T1數據表 (總頁數: 12, 大小: 132.54 KB)
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NSBA114YDXV6T1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大500mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

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功率-最大

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47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 20V

電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 5V / 200 @ 1A, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A

當前-集電極截止(最大值)

1µA, 100nA

頻率-過渡

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功率-最大

760mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

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功率-最大

100mW

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