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NSBC115TDP6T5G

NSBC115TDP6T5G

僅供參考

型號 NSBC115TDP6T5G
PNEDA編號 NSBC115TDP6T5G
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,232
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 14 - 二月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSBC115TDP6T5G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSBC115TDP6T5G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
NSBC115TDP6T5G, NSBC115TDP6T5G數據表 (總頁數: 5, 大小: 122.79 KB)
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NSBC115TDP6T5G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)100kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 5mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大339mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-963
供應商設備包裝SOT-963

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 40V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

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功率-最大

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安裝類型

Surface Mount

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ON Semiconductor

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

500mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

供應商設備包裝

SOT-563

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

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電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

500mW

安裝類型

Surface Mount

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SOT-563, SOT-666

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 2.5mA

當前-集電極截止(最大值)

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