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NSBC123TF3T5G

NSBC123TF3T5G

僅供參考

型號 NSBC123TF3T5G
PNEDA編號 NSBC123TF3T5G
描述 TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,942
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 9 - 二月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSBC123TF3T5G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSBC123TF3T5G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
NSBC123TF3T5G, NSBC123TF3T5G數據表 (總頁數: 12, 大小: 133.94 KB)
PDFSMMUN2238LT1G數據表 封面
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NSBC123TF3T5G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)2.2 kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大254mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-1123
供應商設備包裝SOT-1123

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50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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