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NSM4002MR6T1G

NSM4002MR6T1G

僅供參考

型號 NSM4002MR6T1G
PNEDA編號 NSM4002MR6T1G
描述 TRANS 2NPN 40V/45V SC74
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,496
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSM4002MR6T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSM4002MR6T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
NSM4002MR6T1G, NSM4002MR6T1G數據表 (總頁數: 8, 大小: 151.97 KB)
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NSM4002MR6T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA, 500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V, 45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 5mA, 50mA / 700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 10mA, 1V / 250 @ 100mA, 1V
功率-最大500mW
頻率-過渡300MHz, 100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝SC-74

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NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 2mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

150MHz, 80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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NPN + Diode (Isolated)

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 10mA, 2V

功率-最大

120mW

頻率-過渡

320MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Micro Commercial Co

系列

-

晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

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Surface Mount

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晶體管類型

7 NPN Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 350mA, 2V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

-

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