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NSR02F30MXT5G

NSR02F30MXT5G

僅供參考

型號 NSR02F30MXT5G
PNEDA編號 NSR02F30MXT5G
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 2DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 29 - 二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSR02F30MXT5G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSR02F30MXT5G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
NSR02F30MXT5G, NSR02F30MXT5G數據表 (總頁數: 4, 大小: 97.26 KB)
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NSR02F30MXT5G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)200mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果600mV @ 200mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 30V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱0201 (0603 Metric)
供應商設備包裝2-X3DFN (0.62x0.32)
工作溫度-結點-55°C ~ 125°C

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600V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 9A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.55V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

60ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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