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NSS20501UW3T2G

NSS20501UW3T2G

僅供參考

型號 NSS20501UW3T2G
PNEDA編號 NSS20501UW3T2G
描述 TRANS NPN 20V 5A 3-WDFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 52,098
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSS20501UW3T2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSS20501UW3T2G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
NSS20501UW3T2G, NSS20501UW3T2G數據表 (總頁數: 5, 大小: 102.51 KB)
PDFNSS20501UW3TBG數據表 封面
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NSS20501UW3T2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic125mV @ 400mA, 4A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2A, 2V
功率-最大875mW
頻率-過渡150MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝3-WDFN (2x2)

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 1mA, 6V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

180MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 16mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 4A, 3V

功率-最大

64W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-213AA, TO-66-2

供應商設備包裝

-

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 12mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 1.5A, 3V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 30mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

70MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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