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NSS20601CF8T1G

NSS20601CF8T1G

僅供參考

型號 NSS20601CF8T1G
PNEDA編號 NSS20601CF8T1G
描述 TRANS NPN 20V 6A 1206A CHIPFET
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,712
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSS20601CF8T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSS20601CF8T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
NSS20601CF8T1G, NSS20601CF8T1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 82.83 KB)
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NSS20601CF8T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)6A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic130mV @ 400mA, 4A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 1A, 2V
功率-最大830mW
頻率-過渡140MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝ChipFET™

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 1A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

90MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 250mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 1.5A, 2V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 25mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 100mA, 2V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

400MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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制造商

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

140mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 1A, 2V

功率-最大

460mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 300mA, 5V

功率-最大

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工作溫度

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