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NST3946DP6T5G

NST3946DP6T5G

僅供參考

型號 NST3946DP6T5G
PNEDA編號 NST3946DP6T5G
描述 TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT963
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 75,018
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NST3946DP6T5G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NST3946DP6T5G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
NST3946DP6T5G, NST3946DP6T5G數據表 (總頁數: 7, 大小: 137.67 KB)
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NST3946DP6T5G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN, PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 10mA, 1V
功率-最大350mW
頻率-過渡200MHz, 250MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-963
供應商設備包裝SOT-963

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 100µA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

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工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

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10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

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15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 4mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 5mA, 4V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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SC-74A, SOT-753

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