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NST3946DXV6T1

NST3946DXV6T1

僅供參考

型號 NST3946DXV6T1
PNEDA編號 NST3946DXV6T1
描述 TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT563
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,282
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NST3946DXV6T1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NST3946DXV6T1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
NST3946DXV6T1, NST3946DXV6T1數據表 (總頁數: 12, 大小: 160.38 KB)
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NST3946DXV6T1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN, PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 10mA, 1V
功率-最大500mW
頻率-過渡300MHz, 250MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

700mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

16-TSSOP

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ON Semiconductor

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500pA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

供應商設備包裝

SOT-563

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制造商

Central Semiconductor Corp

系列

-

晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V, 60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

300MHz, 200MHz

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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