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NST3946DXV6T5G

NST3946DXV6T5G

僅供參考

型號 NST3946DXV6T5G
PNEDA編號 NST3946DXV6T5G
描述 TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT563
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,796
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 17 - 三月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NST3946DXV6T5G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NST3946DXV6T5G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
NST3946DXV6T5G, NST3946DXV6T5G數據表 (總頁數: 12, 大小: 120.1 KB)
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  • NST3946DXV6T5G Distributor

NST3946DXV6T5G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN, PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 10mA, 1V
功率-最大500mW
頻率-過渡300MHz, 250MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

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工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

270mV @ 30mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1A, 2V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 6V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 15mA, 750mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

功率-最大

1.2W

頻率-過渡

500MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A, 3.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

180mV @ 100mA, 5A / 200mV @ 350mA, 3.5A

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

480 @ 1A, 2V / 290 @ 1A, 2V

功率-最大

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