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NST45010MW6T1G

NST45010MW6T1G

僅供參考

型號 NST45010MW6T1G
PNEDA編號 NST45010MW6T1G
描述 TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 69,480
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NST45010MW6T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NST45010MW6T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
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NST45010MW6T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual) Matched Pair
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce220 @ 2mA, 5V
功率-最大380mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88/SC70-6/SOT-363

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1mA, 15V

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晶體管類型

2 NPN (Dual) Matched Pair

當前-集電極(Ic)(最大值)

25mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

300nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

500mW

頻率-過渡

450MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

900mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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