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NSV60100DMTWTBG

NSV60100DMTWTBG

僅供參考

型號 NSV60100DMTWTBG
PNEDA編號 NSV60100DMTWTBG
描述 DUAL TRANSISTOR PNP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 25,560
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSV60100DMTWTBG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSV60100DMTWTBG
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
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NSV60100DMTWTBG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 100mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 500mA, 2V
功率-最大2.27W
頻率-過渡155MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝6-WDFN (2x2)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 6V

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

5.9A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

275mV @ 400mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 2A, 2V

功率-最大

2.3W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

-

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

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2A, 1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

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安裝類型

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