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NSV60200DMTWTBG

NSV60200DMTWTBG

僅供參考

型號 NSV60200DMTWTBG
PNEDA編號 NSV60200DMTWTBG
描述 TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,724
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 27 - 五月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSV60200DMTWTBG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSV60200DMTWTBG
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
NSV60200DMTWTBG, NSV60200DMTWTBG數據表 (總頁數: 7, 大小: 163.38 KB)
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NSV60200DMTWTBG規格

制造商ON Semiconductor
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

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安裝類型

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

625mW

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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