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NSV60200SMTWTBG

NSV60200SMTWTBG

僅供參考

型號 NSV60200SMTWTBG
PNEDA編號 NSV60200SMTWTBG
描述 TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,780
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 9 - 二月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSV60200SMTWTBG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSV60200SMTWTBG
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
NSV60200SMTWTBG, NSV60200SMTWTBG數據表 (總頁數: 6, 大小: 95.6 KB)
PDFNSV60200SMTWTBG數據表 封面
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NSV60200SMTWTBG規格

制造商ON Semiconductor
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 100mA, 5V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

500 @ 500mA, 4V

功率-最大

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15MHz

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

功率-最大

200mW

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300MHz

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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