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NSVB143ZPDXV6T1G

NSVB143ZPDXV6T1G

僅供參考

型號 NSVB143ZPDXV6T1G
PNEDA編號 NSVB143ZPDXV6T1G
描述 TRANS BRT 50V 100MA SOT563
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,132
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVB143ZPDXV6T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVB143ZPDXV6T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
NSVB143ZPDXV6T1G, NSVB143ZPDXV6T1G數據表 (總頁數: 10, 大小: 164.08 KB)
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NSVB143ZPDXV6T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)4.7kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大500mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

150MHz, 80MHz

功率-最大

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Surface Mount

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

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500nA

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1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 12V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz, 260MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

1kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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功率-最大

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