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NSVBAS20LT3G

NSVBAS20LT3G

僅供參考

型號 NSVBAS20LT3G
PNEDA編號 NSVBAS20LT3G
描述 DIODE GP 200V 200MA SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,354
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVBAS20LT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVBAS20LT3G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
NSVBAS20LT3G, NSVBAS20LT3G數據表 (總頁數: 8, 大小: 188.18 KB)
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NSVBAS20LT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)200mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 200mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 150V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

980mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 150V

電容@ Vr,F

25pF @ 4V, 1MHz

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 100V

電容@ Vr,F

12pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 75V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

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