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NSVBAS21TMR6T2G

NSVBAS21TMR6T2G

僅供參考

型號 NSVBAS21TMR6T2G
PNEDA編號 NSVBAS21TMR6T2G
描述 DIODE SWITCHING 250V SC-74
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,394
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVBAS21TMR6T2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVBAS21TMR6T2G
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
NSVBAS21TMR6T2G, NSVBAS21TMR6T2G數據表 (總頁數: 4, 大小: 58.15 KB)
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NSVBAS21TMR6T2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管配置3 Independent
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)250V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)200mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 200mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 200V
工作溫度-結點-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝SC-74

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 25V

工作溫度-結點

-65°C ~ 125°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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二極管配置

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

100mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

1.6ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 80V

工作溫度-結點

150°C (Max)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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二極管配置

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

工作溫度-結點

-55°C ~ 125°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 100V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

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包裝/箱

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二極管類型

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600V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

75A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 60A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

98ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 600V

工作溫度-結點

-

安裝類型

Chassis Mount

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