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NSVBAT54LT1G

NSVBAT54LT1G

僅供參考

型號 NSVBAT54LT1G
PNEDA編號 NSVBAT54LT1G
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 24,822
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVBAT54LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVBAT54LT1G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
NSVBAT54LT1G, NSVBAT54LT1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 117.22 KB)
PDFNSVBAT54LT1G數據表 封面
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NSVBAT54LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)200mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果800mV @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)5ns
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 25V
電容@ Vr,F10pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)
工作溫度-結點-55°C ~ 125°C

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電流-平均整流(Io)

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560mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.75mA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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100V

電流-平均整流(Io)

1.9A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 100V

電容@ Vr,F

230pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

65pF @ 4V, 1MHz

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