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NSVBC124XDXV6T1G

NSVBC124XDXV6T1G

僅供參考

型號 NSVBC124XDXV6T1G
PNEDA編號 NSVBC124XDXV6T1G
描述 TRANS BRT 2NPN BIPO SOT563
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,912
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 22 - 二月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVBC124XDXV6T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVBC124XDXV6T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
NSVBC124XDXV6T1G, NSVBC124XDXV6T1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 71.09 KB)
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  • NSVBC124XDXV6T1G Distributor

NSVBC124XDXV6T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
電阻-基本(R1)-
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡-
功率-最大-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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10kOhms

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

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當前-集電極截止(最大值)

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50V

電阻-基本(R1)

47kOhms, 10kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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160 @ 5mA, 10V

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