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NSVBC857CWT1G

NSVBC857CWT1G

僅供參考

型號 NSVBC857CWT1G
PNEDA編號 NSVBC857CWT1G
描述 TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 21,672
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 11 - 四月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVBC857CWT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVBC857CWT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
NSVBC857CWT1G, NSVBC857CWT1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 147.13 KB)
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NSVBC857CWT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce420 @ 2mA, 5V
功率-最大150mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝SC-70-3 (SOT323)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

960mW

頻率-過渡

180MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 290mA, 5.8A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 2A, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 3A, 15A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

12 @ 5A, 2V

功率-最大

175W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

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系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

250nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 30mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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