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NSVDTC123EM3T5G

NSVDTC123EM3T5G

僅供參考

型號 NSVDTC123EM3T5G
PNEDA編號 NSVDTC123EM3T5G
描述 TRANS NPN 50V 0.1A SOT723
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,860
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 14 - 二月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVDTC123EM3T5G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVDTC123EM3T5G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
NSVDTC123EM3T5G, NSVDTC123EM3T5G數據表 (總頁數: 11, 大小: 96.33 KB)
PDFDTC123EET1G數據表 封面
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NSVDTC123EM3T5G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)2.2 kOhms
電阻-發射極基(R2)2.2 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce8 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 5mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大260mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-723
供應商設備包裝SOT-723

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50V

電阻-基本(R1)

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電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

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安裝類型

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電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

2.2 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 20mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

-

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功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-723

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電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

47 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 50µA, 500µA

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500nA (ICBO)

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