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NSVEMT1DXV6T5G

NSVEMT1DXV6T5G

僅供參考

型號 NSVEMT1DXV6T5G
PNEDA編號 NSVEMT1DXV6T5G
描述 TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,460
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVEMT1DXV6T5G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVEMT1DXV6T5G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
NSVEMT1DXV6T5G, NSVEMT1DXV6T5G數據表 (總頁數: 4, 大小: 54.48 KB)
PDFEMT1DXV6T5數據表 封面
EMT1DXV6T5數據表 頁面 2 EMT1DXV6T5數據表 頁面 3 EMT1DXV6T5數據表 頁面 4

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NSVEMT1DXV6T5G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)500pA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 1mA, 6V
功率-最大500mW
頻率-過渡140MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 350mA, 2V

功率-最大

2.25W

頻率-過渡

-

工作溫度

-20°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

60mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

3nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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晶體管類型

7 NPN Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

120mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 500mA, 2V

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