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NSVEMX1DXV6T1G

NSVEMX1DXV6T1G

僅供參考

型號 NSVEMX1DXV6T1G
PNEDA編號 NSVEMX1DXV6T1G
描述 TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,326
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVEMX1DXV6T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVEMX1DXV6T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
NSVEMX1DXV6T1G, NSVEMX1DXV6T1G數據表 (總頁數: 4, 大小: 59.47 KB)
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NSVEMX1DXV6T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)500nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 1mA, 6V
功率-最大500mW
頻率-過渡180MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

-

晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 6V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

US6

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Texas Instruments

制造商

系列

-

晶體管類型

7 NPN Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

16-SO

ULN2003BPWR

Texas Instruments

制造商

系列

-

晶體管類型

7 NPN Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

16-TSSOP

ZXTD617MCTA

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

310mV @ 50mA, 4.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 200mA, 2V

功率-最大

1.7W

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-VDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

W-DFN3020-8

ZDT605TC

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

晶體管類型

2 NPN Darlington (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 1A, 5V

功率-最大

2.75W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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