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NSVF2250WT1G

NSVF2250WT1G

僅供參考

型號 NSVF2250WT1G
PNEDA編號 NSVF2250WT1G
描述 RF TRANS NPN 15V SC70-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,106
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 15 - 四月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVF2250WT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVF2250WT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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NSVF2250WT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝SC-70-3 (SOT323)

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增益

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功率-最大

60mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10mA

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安裝類型

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

9dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

2.5dB @ 1GHz

增益

17dB

功率-最大

180W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 14mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

14dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

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