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NSVS50030SB3T1G

NSVS50030SB3T1G

僅供參考

型號 NSVS50030SB3T1G
PNEDA編號 NSVS50030SB3T1G
描述 TRANS PNP BIPO 50V 3A CPH3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,816
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVS50030SB3T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVS50030SB3T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
NSVS50030SB3T1G, NSVS50030SB3T1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 162 KB)
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NSVS50030SB3T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
電阻-基本(R1)-
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡-
功率-最大-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

頻率-過渡

250MHz, 200MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 15V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

100kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

82 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 250µA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

300mW

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系列

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

80mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

-

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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