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NSVT1418LT1G

NSVT1418LT1G

僅供參考

型號 NSVT1418LT1G
PNEDA編號 NSVT1418LT1G
描述 PNP TRANSISTOR 160V
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,938
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 3 - 四月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVT1418LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVT1418LT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
NSVT1418LT1G, NSVT1418LT1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 109.01 KB)
PDFNSVT1418LT1G數據表 封面
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NSVT1418LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 500mA, 1V

功率-最大

36W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

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Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 150mA, 15A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 10A, 5V

功率-最大

150W

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當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

500V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 800mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 800mA, 5V

功率-最大

90W

頻率-過渡

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150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 500mA, 2V

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150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 7mA, 7A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5000 @ 7A, 4V

功率-最大

100W

頻率-過渡

55MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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