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NTB23N03R

NTB23N03R

僅供參考

型號 NTB23N03R
PNEDA編號 NTB23N03R
描述 MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,744
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTB23N03R資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTB23N03R
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTB23N03R, NTB23N03R數據表 (總頁數: 6, 大小: 87.63 KB)
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NTB23N03R規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)23A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.76nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds225pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)37.5W (Tj)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta), 54A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6909pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 41W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.2A (Ta), 70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 32V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DPAK

包裝/箱

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制造商

Renesas Electronics America

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

82A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 41A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta), 143W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Ta), 19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

582pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 15W (Tc)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

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