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NTB45N06LT4

NTB45N06LT4

僅供參考

型號 NTB45N06LT4
PNEDA編號 NTB45N06LT4
描述 MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,096
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTB45N06LT4資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTB45N06LT4
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTB45N06LT4, NTB45N06LT4數據表 (總頁數: 8, 大小: 81.32 KB)
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NTB45N06LT4規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)45A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs28mOhm @ 22.5A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs32nC @ 5V
Vgs(最大)±15V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1700pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.4W (Ta), 125W (Tj)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

72A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.4mOhm @ 70A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 120µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4810pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

1.2kV

電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

15V, 18V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

78mOhm @ 13A, 18V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.7V @ 5.6mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 18V

Vgs(最大)

+23V, -7V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1.06nF @ 800V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

240nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

800W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta), 85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.08W (Ta), 100W (Tc)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

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725pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.56W (Ta), 2.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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