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NTD12N10T4G

NTD12N10T4G

僅供參考

型號 NTD12N10T4G
PNEDA編號 NTD12N10T4G
描述 MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,316
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTD12N10T4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTD12N10T4G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTD12N10T4G, NTD12N10T4G數據表 (總頁數: 8, 大小: 158.71 KB)
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NTD12N10T4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs165mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds550pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3100pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5720pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 5V

Vgs(最大)

±5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1950pF @ 4V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.78W (Ta), 6.25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

455mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DPAK

包裝/箱

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