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NTD23N03R-001

NTD23N03R-001

僅供參考

型號 NTD23N03R-001
PNEDA編號 NTD23N03R-001
描述 MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,048
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTD23N03R-001資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTD23N03R-001
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTD23N03R-001, NTD23N03R-001數據表 (總頁數: 7, 大小: 127.61 KB)
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NTD23N03R-001規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.8A (Ta), 17.1A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.76nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds225pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)1.14W (Ta), 22.3W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 38A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

230nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2780pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 170W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 95A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(最大)

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