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NTD4809NA-1G

NTD4809NA-1G

僅供參考

型號 NTD4809NA-1G
PNEDA編號 NTD4809NA-1G
描述 MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,148
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 25 - 一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTD4809NA-1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTD4809NA-1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTD4809NA-1G, NTD4809NA-1G數據表 (總頁數: 8, 大小: 110.94 KB)
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NTD4809NA-1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.6A (Ta), 58A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 11.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1456pF @ 12V
FET功能-
功耗(最大值)1.3W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 15.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.1Ohm @ 2.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

658pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

98.4W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

168nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8300pF @ 25V

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