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NTD4809NH-1G

NTD4809NH-1G

僅供參考

型號 NTD4809NH-1G
PNEDA編號 NTD4809NH-1G
描述 MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,068
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTD4809NH-1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTD4809NH-1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTD4809NH-1G, NTD4809NH-1G數據表 (總頁數: 8, 大小: 117.95 KB)
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NTD4809NH-1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.6A (Ta), 58A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 11.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2155pF @ 12V
FET功能-
功耗(最大值)1.3W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Stub Leads, IPak

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

315pF @ 40V

FET功能

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

94A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2920pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

89W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

I-PAK

包裝/箱

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.4A (Ta), 60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3000pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1090pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta)

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

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Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2683pF @ 20V

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-

功耗(最大值)

148W (Tc)

工作溫度

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