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NTD4815NH-1G

NTD4815NH-1G

僅供參考

型號 NTD4815NH-1G
PNEDA編號 NTD4815NH-1G
描述 MOSFET N-CH 30V 6.9A IPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,280
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTD4815NH-1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTD4815NH-1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTD4815NH-1G, NTD4815NH-1G數據表 (總頁數: 8, 大小: 290.05 KB)
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NTD4815NH-1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.9A (Ta), 35A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 11.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs15mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.8nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds845pF @ 12V
FET功能-
功耗(最大值)1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

+30V, -20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2659pF @ 20V

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

95.6nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7665pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3200pF @ 25V

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功耗(最大值)

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35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

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