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NTD4815NHT4G

NTD4815NHT4G

僅供參考

型號 NTD4815NHT4G
PNEDA編號 NTD4815NHT4G
描述 MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,366
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTD4815NHT4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTD4815NHT4G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTD4815NHT4G, NTD4815NHT4G數據表 (總頁數: 8, 大小: 290.05 KB)
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NTD4815NHT4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.9A (Ta), 35A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 11.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs15mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.8nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds845pF @ 12V
FET功能-
功耗(最大值)1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

110A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

300nC @ 10V

Vgs(最大)

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

155nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8800pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.2W (Ta), 125W (Tc)

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系列

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 400µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.05W (Ta)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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