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NTD4860NA-1G

NTD4860NA-1G

僅供參考

型號 NTD4860NA-1G
PNEDA編號 NTD4860NA-1G
描述 MOSFET N-CH 25V 65A IPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,924
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTD4860NA-1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTD4860NA-1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTD4860NA-1G, NTD4860NA-1G數據表 (總頁數: 8, 大小: 140.58 KB)
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NTD4860NA-1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10.4A (Ta), 65A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21.8nC @ 10V
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1308pF @ 12V
FET功能-
功耗(最大值)1.28W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

480mA (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.1mOhm @ 14.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2900pF @ 24V

FET功能

-

功耗(最大值)

860mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.1nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1060pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

660mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

390mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

267nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

416W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

4W (Ta), 150W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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