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NTD4959NHT4G

NTD4959NHT4G

僅供參考

型號 NTD4959NHT4G
PNEDA編號 NTD4959NHT4G
描述 MOSFET N-CH 30V 9A TP-FA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,340
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTD4959NHT4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTD4959NHT4G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTD4959NHT4G, NTD4959NHT4G數據表 (總頁數: 8, 大小: 146.83 KB)
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NTD4959NHT4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A (Ta), 58A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 11.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs44nC @ 11.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2155pF @ 12V
FET功能-
功耗(最大值)1.3W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2305pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

73W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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1.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 2.75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.1nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

358pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

165mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

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功耗(最大值)

4.1W (Ta), 118W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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