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NTD5C668NLT4G

NTD5C668NLT4G

僅供參考

型號 NTD5C668NLT4G
PNEDA編號 NTD5C668NLT4G
描述 T6 60V LL DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,372
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTD5C668NLT4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTD5C668NLT4G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTD5C668NLT4G, NTD5C668NLT4G數據表 (總頁數: 8, 大小: 132.26 KB)
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NTD5C668NLT4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Ta), 48A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK (SINGLE GAUGE)

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

72A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 72A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 5.4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

518nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14000pF @ 25V

功率-最大

416W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SP3

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 7.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2020pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A, 7.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

720pF @ 10V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 4V

功率-最大

3.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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