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NTHD5903T1G

NTHD5903T1G

僅供參考

型號 NTHD5903T1G
PNEDA編號 NTHD5903T1G
描述 MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,634
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTHD5903T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTHD5903T1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTHD5903T1G, NTHD5903T1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 67.9 KB)
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NTHD5903T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs155mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID600mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.4nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝ChipFET™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 15V

功率-最大

3.2W

工作溫度

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

540mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

154nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4350pF @ 25V

功率-最大

357W

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2615pF @ 30V

功率-最大

2.8W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

246pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1540pF @ 15V

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