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NTHD5905T1

NTHD5905T1

僅供參考

型號 NTHD5905T1
PNEDA編號 NTHD5905T1
描述 MOSFET 2P-CH 8V 3A CHIPFET
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,610
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTHD5905T1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTHD5905T1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTHD5905T1, NTHD5905T1數據表 (總頁數: 8, 大小: 199.13 KB)
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NTHD5905T1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)8V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID450mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝ChipFET™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

85nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2390pF @ 20V

功率-最大

3.25W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

39A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 2.7mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

259nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7000pF @ 25V

功率-最大

250W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

160mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.35nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

36pF @ 25V

功率-最大

445mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

480pF @ 10V

功率-最大

10.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.1A, 5.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 10V

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