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NTHS4111PT1G

NTHS4111PT1G

僅供參考

型號 NTHS4111PT1G
PNEDA編號 NTHS4111PT1G
描述 MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,784
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTHS4111PT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTHS4111PT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTHS4111PT1G, NTHS4111PT1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 193.24 KB)
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NTHS4111PT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs28nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1500pF @ 24V
FET功能-
功耗(最大值)700mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝ChipFET™
包裝/箱8-SMD, Flat Lead

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

49A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.55V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

810pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D-Pak

包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5Ohm @ 1.05A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

485pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.6mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

980pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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