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NTHS5404T1G

NTHS5404T1G

僅供參考

型號 NTHS5404T1G
PNEDA編號 NTHS5404T1G
描述 MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,114
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTHS5404T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTHS5404T1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTHS5404T1G, NTHS5404T1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 126.11 KB)
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NTHS5404T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID600mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)1.3W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝ChipFET™
包裝/箱8-SMD, Flat Lead

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

56A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 46A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

84nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3070pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 800mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

625mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1050pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

-

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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