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NTLJD2104PTBG

NTLJD2104PTBG

僅供參考

型號 NTLJD2104PTBG
PNEDA編號 NTLJD2104PTBG
描述 MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,196
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTLJD2104PTBG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTLJD2104PTBG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTLJD2104PTBG, NTLJD2104PTBG數據表 (總頁數: 7, 大小: 124.32 KB)
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NTLJD2104PTBG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID800mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds467pF @ 6V
功率-最大700mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝6-WDFN (2x2)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

610pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

61mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

590pF @ 6V

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 20A, 10V, 1.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V

功率-最大

24W, 52W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A, 2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

57mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 11µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

275pF @ 15V

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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