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NTLJD2105LTBG

NTLJD2105LTBG

僅供參考

型號 NTLJD2105LTBG
PNEDA編號 NTLJD2105LTBG
描述 MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,238
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTLJD2105LTBG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTLJD2105LTBG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTLJD2105LTBG, NTLJD2105LTBG數據表 (總頁數: 6, 大小: 165.14 KB)
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NTLJD2105LTBG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)8V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大520mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝6-WDFN (2x2)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

740pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

405pF @ 10V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 7.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 700µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

440pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

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