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NTLJD3115PT1G

NTLJD3115PT1G

僅供參考

型號 NTLJD3115PT1G
PNEDA編號 NTLJD3115PT1G
描述 MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,794
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTLJD3115PT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTLJD3115PT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTLJD3115PT1G, NTLJD3115PT1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 138.4 KB)
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NTLJD3115PT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.2nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds531pF @ 10V
功率-最大710mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝6-WDFN (2x2)

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

540mA, 430mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.58nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 16V

功率-最大

350mW

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Renesas Electronics America

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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包裝/箱

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

225pF @ 10V

功率-最大

1.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A, 3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1030pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

600mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

620mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

21.3pF @ 10V

功率-最大

380mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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