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NTLUD3191PZTBG

NTLUD3191PZTBG

僅供參考

型號 NTLUD3191PZTBG
PNEDA編號 NTLUD3191PZTBG
描述 MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,850
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTLUD3191PZTBG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTLUD3191PZTBG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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NTLUD3191PZTBG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.1A
Rds On(Max)@ Id,Vgs250mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds160pF @ 10V
功率-最大500mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-UFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝6-UDFN (1.6x1.6)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

115mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

200mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

49mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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50A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 50A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 20mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

125nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3950pF @ 800V

功率-最大

20mW

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Chassis Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A, 15.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1535pF @ 15V

功率-最大

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