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NTMD2P01R2G

NTMD2P01R2G

僅供參考

型號 NTMD2P01R2G
PNEDA編號 NTMD2P01R2G
描述 MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,420
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMD2P01R2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMD2P01R2G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTMD2P01R2G, NTMD2P01R2G數據表 (總頁數: 6, 大小: 142.13 KB)
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NTMD2P01R2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)16V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds750pF @ 16V
功率-最大710mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

500mW

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安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

240mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 6mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

600nC @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 3.7µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

143pF @ 10V

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.3mOhm @ 9.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1740pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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2.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.6nC @ 4.5V

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