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NTMD5836NLR2G

NTMD5836NLR2G

僅供參考

型號 NTMD5836NLR2G
PNEDA編號 NTMD5836NLR2G
描述 MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMD5836NLR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMD5836NLR2G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTMD5836NLR2G, NTMD5836NLR2G數據表 (總頁數: 10, 大小: 136 KB)
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NTMD5836NLR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A, 5.7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs50nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2120pF @ 20V
功率-最大1.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.6nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

542pF @ 10V

功率-最大

1.3W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A, 2.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1063pF @ 30V

功率-最大

1.25W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Diodes Incorporated

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25.1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1415pF @ 15V

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vgs(th)(最大)@ ID

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