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NTMD6N02R2

NTMD6N02R2

僅供參考

型號 NTMD6N02R2
PNEDA編號 NTMD6N02R2
描述 MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,156
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMD6N02R2資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMD6N02R2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTMD6N02R2, NTMD6N02R2數據表 (總頁數: 6, 大小: 131.88 KB)
PDFNTMD6N02R2數據表 封面
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NTMD6N02R2規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.92A
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1100pF @ 16V
功率-最大730mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

955pF @ 20V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A, 2.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

72mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

260pF @ 10V

功率-最大

1W

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.15V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

27.44pF @ 15V

功率-最大

330mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

63mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 25V

功率-最大

1.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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